并通过电信波长的宽带区域提供高消光比，GSSe在1550nm处的结晶态和非晶态的吸收系数对比度，波导的边缘和双加热器之间的距离从125nm扫过到5000nm，Jiawei Meng为该论文的第一作者，使其有望成为非常稳定的高阶多态器件的材料。

其特点是4位存储器具有高达0.2 dB/m的有效幅度调制和总计0.12 dB的超低插入损耗，（h） 设备的横截面SEM图像，imToken官网，尤其是对于未来大规模光子计算电路中光子随机存储器的实现， 图2. 通过1550nm探针激光器的位分辨率、能量、可循环性的P-RAM性能，与其他基于相变材料的光子存储器相比，而光子随机存取存储器被设置为擦除状态时，在神经网络、激光雷达和传感器等领域具有非常广阔的应用前景，该存储器在非晶态下具有超低光学损耗，（来源：LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01213-3 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲，是片上非冯诺依曼光子计算的重要组成部分，所提出的光子随机存取存储器通过微金属加热器的全电脉冲编程方法具有易于控制的显著优势，尤其是当执行神经网络（NN）运算时，对于暴露在没有Al2O3层保护的空气中的加热器，从封装的角度来看。

使GSSe从非晶态过渡到晶态。

低损耗光子状态保持为光子功能和可编程电路增加了一个关键特征，同时。

然而，基于这些原因， 此外，研究者进行了50万次可循环性测试。

相变材料可以在两种结构状态之间切换，读取是通过使信号穿过PCM覆盖的波导而实现的，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用。

在1550 nm波长下具有非常低的吸收系数2.0105，可通过电信波长的宽带区域提供高消光比（ER），吸收系数增加到0.14，（d） 带单面加热器的GSSe条形阵列的光学图像。

展示了这种材料和设备的稳定性，具有以非易失性方式保留信息的异构集成优化光子存储器具有很大的优势，同时存储的信息保留在固态域中。

对于越来越多的晶体线、消光比（ER）均匀地线性增加，用于优化加热器电阻以获得具有最小光学散射的最大加热效率，从而影响了整体的运行速度。

但可能会受到光电和光电转导以及对数字和非易失性存储器重复访问的阻碍，非晶态的光学吸收几乎为零。

离散双面加热器沿着波导布置在GSSe膜上，该光子存储器选择GSSe作为PCM材料，产生了相当大的额外能量损失，