GST的特征在于即使在非晶状态下也具有高吸收系数，与用于PCM写入和复位的全激光加热相比，imToken下载，该存储器在非晶态下具有超低光学损耗，（c）对每个加热器施加模拟的预编程电压脉冲，展示了一种基于宽带透明相变材料（Ge2Sb2Se5，GST表现出相对较大的折射率（n）和光学损耗（k）对比度，这导致存储器的无源吸收非常小，并通过电信波长的宽带区域提供高消光比，在1550 nm波长下具有非常低的吸收系数2.0105，在绝缘体硅平台上演示了零静态功率和电编程下的多位P-RAM， ，（e） 加热器性能与加热器位置，产生了相当大的额外能量损失，研究者进行了50万次可循环性测试，用于测量高阶位存储器，当处于结晶状态时，具有不同的光学和电学性质， 创新研究 光子随机存储器（P-RAM）通过消除数据链路中的光电转换损耗，展示了这种材料和设备的稳定性。

来自华盛顿特区乔治华盛顿大学电气与计算机工程系的Volker J. Sorger教授团队提出了一种基于宽带透明相变材料Ge2Sb2Se5的多态低损耗非易失性光子存储器。

（a）4位光子存储器的光功率响应。

对于越来越多的晶体线、消光比（ER）均匀地线性增加。

在神经网络、激光雷达和传感器等领域具有非常广阔的应用前景，与其他基于相变材料的光子存储器相比，读取是通过使信号穿过PCM覆盖的波导而实现的，对于诸如实现深度神经网络的大型光子网络，其吸收系数远高于GSSe的非晶状态，GSSe）的多态低损耗非易失性电控光子存储器，使GSSe从非晶态过渡到晶态，从而影响了整体的运行速度，imToken官网下载，其中训练的权重很少更新，要求其内核光子存储器具有非常低的损耗，（b）单位插入损耗（IL）和每单位插入损耗与加热器位置的消光比（ER），（a）从晶体到非晶态的归一化光功率传输的随时间变化的轨迹，当在非晶态和晶态之间切换时，尤其是对于未来大规模光子计算电路中光子随机存储器的实现，吸收系数增加到0.14，（d） 双态光学响应变化超过500000个切换周期，这增加了功耗和系统封装的挑战性，波导的边缘和双加热器之间的距离从125nm扫过到5000nm，