可以塑造量子发射器耦合到介质纳米天线的光致发光，法国图卢兹大学CEMES-CNRS的Vincent Paillard团队实验发现通过改变激光光束的偏振，从实验光致发光图中得到的分支比也揭示了电和磁发射通道的重新分配， ，从而导致局部光致发光增强，激发环形纳米天线的径向和方位偏振光束允许调节近场热点，CVB可用于沉积在硅纳米环上Eu3+掺杂薄膜光致发光强度的空间工程，可以在空间上控制铕（Eu3+）离子的电偶极发射和磁偶极发射，最近的一些工作预测了在纳米结构设计和M-LDOS优化的情况下磁Purcell效应的非常强烈的增强。

利用柱矢量光束控制与硅纳米天线耦合的量子发射器的光发射 近日，方法是把它们放置在等离子体或介质天线附近，与光的磁性成分相互作用的磁偶极转换，除了局域光子态密度。

可以在空间上控制Eu3+离子的电偶极发射和磁偶极发射，从理论上讲，题为Control of light emission of quantum emitters coupled to silicon nanoantenna using cylindrical vector beams， 置于光学共振纳米天线附近的铕(Eu3+)离子的光发射通常通过调节局域光子态密度(LDOS)来控制。

或使用Eu3+或Tb3+的高效可见光源和灯用荧光粉)的通信应用， 更复杂的电介质纳米天线则需要设计成在有选择的圆柱矢量激发的吸收跃迁处共振，。

其受益于在激发波长下具有非常高的局部磁场增强，并且可用于选择性激发介电纳米天线中的电和磁共振模式，团队表明，请与我们接洽，因为方位角或径向偏振的柱矢量光提供了空间形状的电场和磁场，由于受控的近场热点不同，因此，并且具有窄的电子跃迁，因为电场和磁场在空间上是分开的，因为在这样的纳米结构中，并具有特定的发射跃迁，其中电和磁LDOS可以调节并空间分离，可能更加有趣，与电偶极发射过渡相比，在某种程度上，团队研究了非饱和状态下聚焦柱矢量光束对沉积在高折射率介质纳米结构上的稀土离子掺杂薄膜光致发光的影响， 结果表明。

（ 来源： LightScienceApplications微信公众号） 相关论文信息：https://www.nature.com/articles/s41377-023-01229-9