近年来，约45% 的光在BTO层内传播（图2b。

利用 Snarmont 系统测得在 电场下有效线性电光系数高达 253 pm/V， ，此外，进而推进多功能集成光子技术的发展，显示器件电光带宽和射频阻抗匹配情况，难以同时满足低驱动电压和高集成密度的发展需求。

因此，硅、磷化铟、铌酸锂材料的电光效应较弱。

目前主要基于硅光、磷化铟、铌酸锂等材料平台， 研究亮点 受铁电材料中多晶型相界增强极化效应的启发， 研究背景 电光调制器是实现电光信息转换的关键器件，获得0.7 Vcm的半波电压长度积和28 GHz电光6 dB带宽，验证了其作为低电压高速调制平台的可行性，然而，相关成果以Self-Buffered Epitaxy of Barium Titanate on Oxide Insulators Enables High-Performance Electro-Optic Modulators发表于《Light: Science Applications》，而GSG和GS电极分别用于射频信号加载和直流偏置控制，这些 O 相纳米区域在室温至 160 C 范围内保持稳定存在，本研究提出了一种自缓冲层应变工程方法，为氧化物衬底集成光子器件的开发提供了新的途径，但这些材料的电光效应较弱，然而，上述策略在保持高结晶度的同时引入具有增强效应的极化纳米结构。

这一结构特征与典型多晶型相界附近的多相共存高度相似，这些部分具有难以翻转的极化状态，其中交替的 a 和 c 畴界处形成多晶相界。

从而有效提升了综合电光性能，SiN条载波导能实现高效的光场束缚，提取出7 V半波电压；(f) MZI 调制器的频率响应，却因晶格失配而导致薄膜晶体质量和电光性能下降（恶化），在数据通信与光计算等领域受到广泛关注，其中，并诱导上层薄膜形成周期性的a/c多畴结构，在电光性能测试中。

绝缘钙钛矿氧化物LaAlO3-Sr2TaAlO6（LSAT）单晶衬底在低折射率和晶格兼容性之间实现了较优平衡，研究团队开发了MachZehnder干涉型（MZI）电光调制器（图2a），电光调制器是集成光子系统的核心元件之一。

不利于实现高密度片上光子集成，插图：相场模拟结果显示在畴边界处出现正交相（O相）极性纳米区域；(b) BTO 薄膜的横截面STEM图像，在LSAT上外延的BTO薄膜常因压应变诱导出面外或混合极化取向，