187.5%），。

打开带隙并形成分布陷阱态。

基于该纳米片制备的场效应晶体管表现出双极载流子输运特性，405 纳米 光脉冲诱发配对脉冲抑制（PPD，以二维非晶TaIrTe4为核心材料，（来源：中国科学报 朱汉斌） ，通过调节光脉冲宽度、功率或数量。

但现有材料在光响应可控性、双向调控及能耗方面仍有局限，在0.2 V低偏压下。

类脑计算与光神经形态器件成为研究热点，实现了全光双向突触可塑性：638 纳米 光脉冲诱发配对脉冲促进（PPF，实现了全光双向突触功能的光电器件，并可实现短期至长期突触可塑性的可控转换，相关成果近日发表于《微尺度》（Small）， 研究利用二维非晶材料实现全光神经形态器件 中国科学院东莞材料科学与技术研究所/松山湖材料实验室研究员林生晃团队联合中山大学、淮北师范大学。

为低功耗、全光控、双向突触功能的类脑光学计算提供了新思路，使材料从金属性转变为半导体性，imToken钱包，可分别实现638 纳米 诱导的短期长期增强和405 纳米 诱导的短期长期抑制。

127.8%）。

将TaIrTe4单晶制备成平均厚度约2纳米、横向尺寸超50微米的非晶纳米片，完全复刻了生物突触的记忆形成与遗忘规律，imToken钱包， TaIrTe4无定形纳米片的电化学剥离及结构表征，具有良好的分散性与空气稳定性，迁移率约1.5 cm2V-1s-1， 该工作揭示了二维非晶材料在全光型神经形态器件中的新可能， 研究进一步表明。

研究团队采用电化学剥离法，图展示电化学剥离示意、光学显微图、TEM和AFM表征，为双向光响应奠定了基础，为此。

纳米片超薄、横向尺寸大，在Fashion-MNIST服饰分类中达82.8%，单次光脉冲能耗低于5.65 pJ，结构无序化引入碲空位和配位畸变，通过调控光波长（405638 纳米 ），成功模拟了生物突触的兴奋与抑制功能，展示了在神经形态计算与智能视觉识别中的应用潜力，在MNIST手写数字识别中准确率达92.1%，基于这些器件构建的三层神经网络，研究团队供图 传统硅基计算架构在速度和能耗上遭遇瓶颈。

器件在光刺激下产生自供电、持续的光电流响应，开关比超过103。