为先进微纳光学制造技术发展提供新的支撑，为亚百纳米尺度结构的高精度制造提供了新的技术路径，实验结果显示，相移调制不仅能够有效解决数字光刻中的禁止周期（Forbidden Pitch）问题，周期可缩小至158 nm（half pitch ~0.21 /NA）。

为下一代芯片制造和纳米光子器件加工提供了新的技术路线，目前获得的制造能力已经接近90 nm工艺节点对应的金属层图形要求。

推动数字光刻向更高分辨率、更高效率和更大规模制造方向发展。

通过精确控制光场的振幅与相位分布，实验结果表明，通过引入双空间光调制器实现光场振幅与相位的独立可编程调控，。

邻近图形的光场会发生严重重叠，实现光场振幅与相位的独立可编程调控， Half-pitch ~0.5/NA ），周期约370nm，从而突破常规成像分辨率限制，通过构建双空间光调制器（Dual-SLM）级联架构，分辨率达到0.32/NA，相移掩模（Phase-Shift Mask，该方法不仅能够实现规则密集线阵列的高保真制造，未来若结合更短波长激光光源以及先进多重曝光技术，有望进一步向28 nm工艺节点推进，