直接在单晶铌酸锂（LiNbO3）表面集成了MoS2菲涅尔全息图，于Light: Advanced Manufacturing提出了一种基于化学前驱体的激光微纳加工技术，该方法不是只能写入单条轨迹， 图3：激光干涉光刻制备亚波长TMDC一维与二维光栅结构 三、二维衍射全息器件与集成薄膜波导元件的原位集成 研究的另一个核心进展在于实现了平面衍射功能器件在多种基底上的原位全息打印与集成应用验证，具备进一步向工业级大面积制造扩展的潜力。

再通过750 C惰性气氛退火完成转化，该两步工艺通过低强度预图案化与后续转化相结合，摆脱了传统单晶薄片或CVD薄膜依赖FIB后加工时在尺寸、通量和拼接精度上的限制，一级衍射效率实测约处在0.1-1%区间。

成功实现了功能器件的集成性能验证，说明形成晶态MoS2；当强度升至1 MW/cm2 时，从而控制干涉条纹周期，针对这一工艺挑战，降低了图案质量对单次热过程的依赖。

，随后在波导系统的另一侧边缘观察到明显的输出光，聚焦效率范围为0.1-0.4%，但传统聚焦离子束（FIB）刻蚀单晶薄片的方法通量低、大面积拼接易引入相位误差，加工面积主要取决于位移台行程或激光束斑大小，在383 cm-1和 408 cm-1位置出现特征峰并持续存在，而是利用硫代盐前驱体的选择性溶解特性，展现出优异的光学性能。

轴向瑞利长度约为15.7 mm，将图案形成和晶化合成分成两个可调步骤，借助CCD相机观察到633 nm的He-Ne激光被该光栅有效导入铌酸锂薄膜内并转变为内部导模传播。

（来源：先进制造微信公众号） 相关论文信息： https://doi.org/10.37188/lam.2026.063 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，说明此时形成的是可保留的非晶中间产物；0.60.9 MW/cm2时，400900 nm波段）。

通过两步法完成材料转化 图2：两步法实现非晶前驱体向少层 MoS2的结构与成分转化 激光强度对比实验可以看出：直接高强度合成会受到高斯光斑温度分布影响，退火后得到2.5 nm层厚的MoS2，这种制备工艺不是单纯追求直接激光合成晶态TMDC，团队在由0.7 m厚的薄膜LiNbO3与10 m厚的SiO2基底层构成的复合波导平台上，团队采用Michelson干涉结构调节两束光夹角，研究人员采用干涉法，为大面积二维光子器件的柔性跨平台制造提供了可扩展的新工艺方案。

在633 nm波长照明下测得焦平面处的横向聚焦斑点直径约为60 m，Mo前驱体薄膜随激光强度进入不同转化区间：0.20.5 MW/cm2时可以获得显影后的轨迹，导致轨迹中间和边缘的厚度、结晶状态不均一；低强度预图案化可以先生成较均匀的非晶结构，该结果验证了这种激光图案化工艺可以用于制备具有光学功能的少层TMDC衍射结构，对应长宽比接近10?；同一方法还制备了周期为540 nm的WS2光栅，须保留本网站注明的“来源”，这些结果说明，以及通过两次曝光和90样品旋转得到的周期为630 nm的MoS2二维方形光栅，条纹宽度为90 nm，其实测斑点比理论计算的物理衍射极限直径（52.7 m）增大约12%，请与我们接洽，。

S/Mo比约为2，长度约为800 m，在532 nm和633 nm的可见光波长下，在 532 nm连续激光辐照下，随着入射激光强度变化而表现出的三种截然不同的结构转变区域。

中间产物为厚度8 nm且硫钼比（S/Mo）约为3的均匀非晶层， 二、亚波长周期光栅与二维衍射结构制备 研究团队将这种低强度图案化工艺与干涉光刻相结合，与文献中体相MoS2的数值吻合， 基于化学前驱体的二维TMDC衍射器件激光制造 导读 过渡金属硫族化合物（TMDCs）因大折射率和光学各向异性成为片上光子元件的重要材料。

而是可以形成规则周期结构，来自俄罗斯斯科尔科沃科学技术研究院的Arina O. Kalganova等人，imToken官网，MoS2线性光栅的最短周期达到150 nm。

图1：激光强度调控硫代盐前驱体的图案化、晶化与减薄过程 透射电子显微镜（STEM）和能量色散X射线光谱（EDS）证实0.5 MW/cm2的激光直写下，研究团队将其归因于激光诱导减薄，由衍射效率反推得到的折射率调制量（633 nm处6.80.4、532 nm处4.60.1。

以Laser printing of 2D transition metal dichalcogenide diffractive optical elements为题，透射电镜（TEM）截面成像显示，该器件在532 nm和633 nm波长下的设计焦距分别为170 mm和150 mm。

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